Nella fisica dei semiconduttori, la regione di carica spaziale, anche detta strato, regione o zona di svuotamento è uno spazio isolante all'interno di un semiconduttore drogato. Il drogaggio induce nel semiconduttore un eccesso di elettroni liberi o di lacune che si comportano da portatori di carica permettendo il passaggio di corrente; nella regione di svuotamento, gli elettroni liberi e le lacune si ricombinano annientandosi e il trasporto di carica cessa.
Indice
1Regione di carica spaziale nelle giunzioni p-n
1.1Campo elettrico
1.2Tensione
1.3Tensione di built-in
1.4Larghezza della regione
1.5Capacità di svuotamento
2Applicazioni
3Note
4Bibliografia
5Voci correlate
6Altri progetti
Regione di carica spaziale nelle giunzioni p-n
Le regioni di carica spaziale si formano normalmente in prossimità delle giunzioni p-n fra due semiconduttori di diverso tipo. Portando in contatto un semiconduttore di tipo p con uno di tipo n, le lacune del primo tendono a fluire nel secondo, e viceversa gli elettroni liberi del semiconduttore di tipo n invadono il semiconduttore di tipo p. A provocare questa diffusione è l'energia termica delle particelle. Gli elettroni liberi e le lacune in vicinanza della giunzione si ricombinano con le loro controparti lasciando così ionizzati gli strati adiacenti di materiale: negativamente dalla parte del semiconduttore di tipo p, positivamente dalla parte del semiconduttore di tipo n. Si genera perciò un campo elettrico che si oppone ad un ulteriore scambio di portatori di carica. Appena l'intensità del campo elettrico è tale da contrastare la diffusione dei portatori di carica, si instaura nella giunzione p-n un equilibrio termico stabile. La regione di carica spaziale compresa dal campo elettrico risulta di fatto svuotata da portatori e si comporta dunque come un isolante.
Campo elettrico
Per calcolare il campo elettrico nella regione, integreremo l'equazione di Poisson in una dimensione:
La densità delle cariche è legata al drogaggio. Nell'ipotesi che sia uniforme:
Integrando l'equazione di Poisson:
ed imponendo le condizioni al contorno:
otteniamo:
Tensione
La tensione, nell'ipotesi di drogaggio uniforme, si ottiene integrando il campo elettrico lungo la regione:
imponendo le condizioni al contorno:
otteniamo:
La differenza di tensione ai bordi della regione di svuotamento risulta:
Possiamo semplificare ulteriormente ricordando che nell'equilibrio elettrostatico la regione è nel complesso neutra, e la carica positiva nella zona n è uguale alla carica negativa nella zona p:
Tensione di built-in
La tensione di built-in è la tensione che si crea ai bordi della regione di carica spaziale, in una giunzione p-n, all'equilibrio elettrostatico, e in assenza di tensioni esterne applicate. Ma ai morsetti metallici di un diodo, ad esempio, non può essere misurata a causa dell'effetto Volta: essi presenteranno una tensione nulla.
La larghezza è proporzionale alla radice della tensione inversa applicata.
Se la giunzione p-n viene polarizzata con una tensione inversa , ai bordi della regione di carica si trova una tensione. Basta risolvere per e le espressioni della tensione nella regione per ottenere:
e
Capacità di svuotamento
La regione di carica spaziale presenta un comportamento capacitivo non lineare. Questo è dovuto al fatto che la carica presente dipende dalla tensione, ma con una proporzionalità non lineare. Infatti variando la tensione, varia la larghezza della regione, e quindi la carica, ma secondo una radice della tensione. In generale essa sarà uguale a: